SK Hynix détaille sa mémoire flash NAND 4D 238 couches

Une annonce qui fait suite à celle de Micron (mémoire 232 couches).

À l’occasion de la Flash Memory Summit 2022, SK Hynix annonce le développement de sa NAND TCL 4D 238 couches, dans des capacités de 512 Gb. L’entreprise expédie des échantillons à ses partenaires et prévoit une production de masse au cours premier semestre 2023. C’est la suite directe de la mémoire 176 couches lancée en décembre 2020. Pour remettre ces progrès en perspective, la société proposait de la NAND à 96 couches en 2018.

Image 1 : SK Hynix détaille sa mémoire flash NAND 4D 238 couches
Crédit : SK Hynix

Jungdal Choi, responsable du développement NAND chez SK Hynix, a déclaré : “SK Hynix s’est assuré une compétitivité de premier plan au niveau mondial en matière de coût, de performance et de qualité en introduisant la même mémoire à 238 couches basé sur ses technologies NAND 4D. Nous allons poursuivre les innovations pour relever les défis technologiques”.

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Avantages

Comme nous l’expliquions en 2018, par NAND 4D, SK Hynix sous-entend un principe de CTF (Charge Trap Flash) consistant à stocker temporairement les électrons sur un film en nitrure de silicium. Traditionnellement, les couches CTF étaient reliées à l’horizontale avec le circuit logique ; la 4D consiste à empiler le tout verticalement.

Cette mémoire 238 couches a une surface de cellule plus petite que celle de la mémoire NAND à 176 couches. Selon SK Hynix, les gains de production globale avoisinent les 34 % (tout simplement car cette mémoire permet de produire plus de puces sur une même surface de wafer).

En matière de performance, cette NAND 4D 238 couches permet un débit de 2,4 Gbit/s. C’est une amélioration de 50 % par rapport à la génération précédente. En outre, SK Hynix précise que la consommation pour la lecture baisse de 21 %.

Cette mémoire 238 couches sera d’abord proposée au sein des SSD grand public pour PC. Elle sera ensuite exploitée pour les smartphones et les SSD pour serveurs. L’année prochaine, SK Hynix prévoit de proposer des dispositifs de 1 Tb en plus de 512 Gb.

De la 232 couches chez Micron

Sachez que Micron propose également de la mémoire NAND 232 couches depuis fin juillet. Un SSD PCIe 5.0 doté de cette mémoire a d’ailleurs été utilisé par Phison avec un Ryzen 7000 lors d’une démonstration. Les principales caractéristiques apparaissent dans les trois diapositives ci-dessous.

Image 2 : SK Hynix détaille sa mémoire flash NAND 4D 238 couches
Crédit : Micron
Image 3 : SK Hynix détaille sa mémoire flash NAND 4D 238 couches
Image 4 : SK Hynix détaille sa mémoire flash NAND 4D 238 couches

Sources : SK Hynix, Micron

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