Samsung prépare déjà de la NAND à 900 couches : la guerre du SSD continue
Source : CowcotLand
Publié le : mercredi 27 mai 2026 à 10:35
Chez Samsung, on continue de repousser les limites de la mémoire NAND. Après avoir déjà dépassé les 400 couches avec ses dernières générations de V-NAND, le constructeur travaillerait désormais sur une solution V-NAND en 900 couches... Et forcément, empiler autant de couches sur une seule tranche de silicium commence à devenir un véritable cauchemar technique. Du coup, Samsung change progressivement d'approche et mise maintenant sur une technologie de Hybrid Bonding, ou liaison hybride entre plusieurs wafers. Deux piles de 450 couches fusionnées ensemble Selon les informations relayées par ET News, Samsung utiliserait une technologie propriétaire baptisée Cell Multi-Bonding (CMB). Ainsi, au lieu de fabriquer une seule structure géante de 900 couches, la marque produit deux blocs indépendants de 450 couches, puis les fusionne ensemble pour créer une seule mémoire NAND unifiée. Cette technique permet d'éviter certains problèmes énormes liés aux structures ultra épaisses. Car plus on ajoute de couches, plus les difficultés explosent : gestion thermique, consommation, alignement microscopique, rendement de production ou encore déformation physique des wafers. […]