CMXT promet une DDR5 4F² avec deux ans d'avance sur Samsung
Source : CowcotLand
Publié le : jeudi 15 octobre 2026 à 09:15
Le fabricant chinois CXMT, pour ChangXin Memory Technologies, vient de faire une annonce assez ambitieuse. L'entreprise affirme pouvoir proposer une nouvelle génération de mémoire DDR5 reposant sur une architecture 4F² dès la fin de l'année 2026, soit potentiellement deux ans avant Samsung, SK hynix et Micron. Une petite révolution sur le papier, mais qui laisse les analystes particulièrement sceptiques. Certains parlent même d'un tigre de papier, autrement dit, beaucoup de bruit pour pas grand-chose... Une nouvelle architecture 4F² pour gagner en densité Actuellement, les fabricants de DRAM exploitent principalement une architecture dite 6F². Avec la technologie 4F², CXMT entend réduire la surface occupée par chaque cellule mémoire d'environ 33 %, notamment grâce à une nouvelle organisation des transistors. Cela permettrait d'intégrer davantage de mémoire sur une même surface de silicium et potentiellement de réduire les coûts de fabrication. […]